Kde jsem:  Katalog  >  Vyhledávání

40 samsung ue40h6200awxx recenze

Nalezeno:    12 produktů

Samsung CLP-415N

Formát tiskárny: A4 - laser Paměť: 256MB Rozlišení: 9600x600 Rychlost černého tisku: 18ppm Rychlost barevného tisku: 18ppm Tisk první strany: 16s Max. měsíční zatížení: 40 000s Duplex: Manuální Displej: Ne Zásobník: na 250s, 1s multifunkční podavač Rozhraní: USB 2.0 / 10 / 100 / 1000 Base Tx Tiskové jazyky: SPL (Samsung Printer Langauge), PCL5Ce, PCL6C, PS3, PDF V1.7 Rozměry (VxŠxH): 420 x 426 x 264mm Skener: Ne Fax: Ne Podporované operační systémy: Window XP (32 / 64bit) / 2003 Server (32 / 64...

Samsung CLP-415N

Formát tiskárny: A4 - laser Paměť: 256MB Rozlišení: 9600x600 Rychlost černého tisku: 18ppm Rychlost barevného tisku: 18ppm Tisk první strany: 16s Max. měsíční zatížení: 40 000s Duplex: Manuální Displej: Ne Zásobník: na 250s, 1s multifunkční podavač Rozhraní: USB 2.0 / 10 / 100 / 1000 Base Tx Tiskové jazyky: SPL (Samsung Printer Langauge), PCL5Ce, PCL6C, PS3, PDF V1.7 Rozměry (VxŠxH): 420 x 426 x 264mm Skener: Ne Fax: Ne Podporované operační systémy: Window XP (32 / 64bit) / 2003 Server (32 / 64...

Samsung SSD 850 Evo 2,5 1TB SATA III

SSD Samsung 850 EVO vychází z technologicky pokročilé 3D architektury V-NAND pro dosáhnutí maximální rychlosti čtení a zápisu v sekvenčním i náhodném přístupu. Tato architektura vrství buňky na sebe místo vedle sebe. Výsledkem je vyšší hustota a vyšší výkon v menších rozměrech, a tím překonává konvenční rovinné NAND architektury. Oproti předchůdci 840 EVO získáte až o 10% vyšší pružnost pro lepší užívatelský zážitek. U 850 EVO se zdvojnásobila spolehlivost buněk pro zápis a minimalizovalo se ná...

Samsung SSD 850 Evo 2,5 500GB SATA III

SSD Samsung 850 EVO vychází z technologicky pokročilé 3D architektury V-NAND pro dosáhnutí maximální rychlosti čtení a zápisu v sekvenčním i náhodném přístupu. Tato architektura vrství buňky na sebe místo vedle sebe. Výsledkem je vyšší hustota a vyšší výkon v menších rozměrech, a tím překonává konvenční rovinné NAND architektury. Oproti předchůdci 840 EVO získáte až o 10% vyšší pružnost pro lepší užívatelský zážitek. U 850 EVO se zdvojnásobila spolehlivost buněk pro zápis a minimalizovalo se ná...

Samsung SSD 850 EVO Series 250GB 2.5zoll TLC SATA600 - Basic

SSD Samsung 850 EVO vychází z technologicky pokročilé 3D architektury V-NAND pro dosáhnutí maximální rychlosti čtení a zápisu v sekvenčním i náhodném přístupu. Tato architektura vrství buňky na sebe místo vedle sebe. Výsledkem je vyšší hustota a vyšší výkon v menších rozměrech, a tím překonává konvenční rovinné NAND architektury. Oproti předchůdci 840 EVO získáte až o 10% vyšší pružnost pro lepší užívatelský zážitek. U 850 EVO se zdvojnásobila spolehlivost buněk pro zápis a minimalizovalo se ná...

Samsung SSD 850 EVO Series 2TB 2.5zoll TLC SATA600 - Basic

SSD Samsung 850 EVO vychází z technologicky pokročilé 3D architektury V-NAND pro dosáhnutí maximální rychlosti čtení a zápisu v sekvenčním i náhodném přístupu. Tato architektura vrství buňky na sebe místo vedle sebe. Výsledkem je vyšší hustota a vyšší výkon v menších rozměrech, a tím překonává konvenční rovinné NAND architektury. Oproti předchůdci 840 EVO získáte až o 10% vyšší pružnost pro lepší užívatelský zážitek. U 850 EVO se zdvojnásobila spolehlivost buněk pro zápis a minimalizovalo se ná...

Samsung SSD 850 EVO Series 250GB 2.5zoll TLC SATA600 - Basic

SSD Samsung 850 EVO vychází z technologicky pokročilé 3D architektury V-NAND pro dosáhnutí maximální rychlosti čtení a zápisu v sekvenčním i náhodném přístupu. Tato architektura vrství buňky na sebe místo vedle sebe. Výsledkem je vyšší hustota a vyšší výkon v menších rozměrech, a tím překonává konvenční rovinné NAND architektury. Oproti předchůdci 840 EVO získáte až o 10% vyšší pružnost pro lepší užívatelský zážitek. U 850 EVO se zdvojnásobila spolehlivost buněk pro zápis a minimalizovalo se ná...

Samsung SSD 850 EVO Series 2TB 2.5zoll TLC SATA600 - Basic

SSD Samsung 850 EVO vychází z technologicky pokročilé 3D architektury V-NAND pro dosáhnutí maximální rychlosti čtení a zápisu v sekvenčním i náhodném přístupu. Tato architektura vrství buňky na sebe místo vedle sebe. Výsledkem je vyšší hustota a vyšší výkon v menších rozměrech, a tím překonává konvenční rovinné NAND architektury. Oproti předchůdci 840 EVO získáte až o 10% vyšší pružnost pro lepší užívatelský zážitek. U 850 EVO se zdvojnásobila spolehlivost buněk pro zápis a minimalizovalo se ná...

Samsung SSD 850 Pro 2,5 512GB SATA III

Disk 850 PRO od společnosti Samsung se vyrábí pomocí inovativní 3D architektury V-NAND, která využívá 32 vrstev buněk nad sebou, místo toho aby se pokoušela zkrátit délku a šírku buněk a vtěsnat ji do současných zmenšujících se rozměrů součásti. Výsledkem je vyšší hustota a větší výkon na menší ploše a průlom v překonávání limit hustoty bežné architektury NAND. Paměť NAND poskytuje mimořádný výkon při čtení a zápise, a to při sekvencích a náhodných operacích. Pomocí režimu RAPID můžete v...

Samsung SSD 850 Pro 2,5 1TB SATA III

Disk 850 PRO od společnosti Samsung se vyrábí pomocí inovativní 3D architektury V-NAND, která využívá 32 vrstev buněk nad sebou, místo toho aby se pokoušela zkrátit délku a šírku buněk a vtěsnat ji do současných zmenšujících se rozměrů součásti. Výsledkem je vyšší hustota a větší výkon na menší ploše a průlom v překonávání limit hustoty bežné architektury NAND. Paměť NAND poskytuje mimořádný výkon při čtení a zápise, a to při sekvencích a náhodných operacích. Pomocí režimu RAPID můžete v...

Samsung SSD 850 Pro 2,5 512GB SATA III

Disk 850 PRO od společnosti Samsung se vyrábí pomocí inovativní 3D architektury V-NAND, která využívá 32 vrstev buněk nad sebou, místo toho aby se pokoušela zkrátit délku a šírku buněk a vtěsnat ji do současných zmenšujících se rozměrů součásti. Výsledkem je vyšší hustota a větší výkon na menší ploše a průlom v překonávání limit hustoty bežné architektury NAND. Paměť NAND poskytuje mimořádný výkon při čtení a zápise, a to při sekvencích a náhodných operacích. Pomocí režimu RAPID můžete v...

Samsung SSD 850 Pro 2,5 1TB SATA III

Disk 850 PRO od společnosti Samsung se vyrábí pomocí inovativní 3D architektury V-NAND, která využívá 32 vrstev buněk nad sebou, místo toho aby se pokoušela zkrátit délku a šírku buněk a vtěsnat ji do současných zmenšujících se rozměrů součásti. Výsledkem je vyšší hustota a větší výkon na menší ploše a průlom v překonávání limit hustoty bežné architektury NAND. Paměť NAND poskytuje mimořádný výkon při čtení a zápise, a to při sekvencích a náhodných operacích. Pomocí režimu RAPID můžete v...